浙江源芯微电子有限公司车规级MOSFET芯片封测设备研发实验室项目
浙江源芯微电子有限公司车规级MOSFET芯片封测设备研发实验室项目是该公司在车规级功率半导体领域的重要布局，主要聚焦于车规级MOSFET芯片的封装测试技术研发及产业化应用。该项目核心信息如下：
实施主体：浙江源芯微电子有限公司，专业从事车规级功率MOS芯片设计、封测及销售的半导体企业。
投资规模：总投资10亿元，分两期建设，其中一期利用南太湖新区半导体产业园A区定制厂房，二期计划于2027年自建厂房。
技术定位：重点研发车规级中/低压MOS、高压MOS及碳化硅（SiC）MOS芯片封测技术，已实现国产替代并成为比亚迪等车企的供应商。
2024年5月：项目签约落地湖州南太湖新区，规划年产能20亿只车规级芯片。
2024年11月：启动厂房装修设计，计划2025年初完成设备安装并投产。
2025年3-4月：完成实验室项目备案及审批流程，进入设备研发阶段。
产能规划：项目全面达产后，预计年产20亿只车规级MOSFET芯片封测产品，年产值约18亿元。
市场合作：与吉利、上汽、蔚小理等车企合作，推动车规级芯片本地化生产，加速国产化进程。
项目依托湖州南太湖新区半导体产业园的产业集群优势，与园区内芯片设计、检测、材料等企业形成产业链协同，同时借助长三角区位优势，强化与上海等地的技术及市场联动。
综上，该项目通过自主研发与产业链整合，旨在提升国产车规级芯片的封测技术水平，助力半导体产业国产化进程。
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